分立器件吧
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    京北通宇商城,http://www.jbchip.com 北京京北通宇电子元件有限公司是一家电子元器件全面解决方案提供商,拥有自营网上商城,主营分销连接器、IC、无源元件、传感器、分立器件、机电元件等产品。在连接器领域实现从分销、线束加工到连接器自主产品研发生产的全产业链服务。 京北通宇目前为遍布全国数万家客户提供服务,拥有过亿元自营库存,10万多种在库产品,200多万种在线产品,承接BOM订单和年用量订单,提供FAE技术支持和国产品牌推荐服务
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    欲度关山 10-16
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    半导体芯片封装,引线键合 可用于铜线焊接工艺。 设备出厂年份2015年、封测大厂产线正常退下。
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    处理一批分立器件呆料,型号有:达林顿、DK系列、大可控、高频小信号、小功率等。 有意者请联系:沈小姐(15952512646)
    xzd回忆 5-26
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    为了提高核心器件IGBT、MOSFET等开发检测能力,及时有效剔除存在产品中缺陷隐患的不合格产品,实现自主产品维修,节约产品维护成本,提高产品质量的可靠性,一套动静态、雪崩、浪涌、老化可靠性等自动化大功率半导体器件测试系统,可用来满足核心功率器件的维修检测与实验室的测试研发需要。 半导体功率器件的动态参数的优良决定着器件的开关性能,通常希望的功率器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际产品应用中
    xzd回忆 5-25
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    IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种,而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台,探索一整
    xzd回忆 5-25
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    对于任何一个器件,在使用之前,无论是生产方还是使用方都会进行充分的验证,以确定产品的性能是否符合相应的需求。今天我们就来说一说有关IGBT的一项比较重要的测试——双脉冲测试(Double Pulse Test)。 为什么叫双脉冲测试?单脉冲不可以吗? 在大部分电力电子装置中,负载的电感量都比较大,在IGBT关断后,电感电流一般不会断流,二极管会一直续流,在此时开通IGBT,会有二极管的反向恢复过程。而单脉冲实验中是没有二极管反向恢复过程的,
    xzd回忆 5-25
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    MOSFET/IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其动态特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的动态性能具有极其重要的实际意义。 EN-1230A分立器件动态参数测试系统,是针对MOSFET与IGBT分立器件的动态参数如开关特性、栅极电荷、短路特性、二极管的反向恢复特性、结电容等专门设计的一套全自动测试系统,额定测试电流不超过200A,测试电压不超
    xzd回忆 5-24
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    IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT广泛应用于电焊机、中高压变频器、新能源汽车、光伏并网逆变器、有源电力滤波器、无功补偿装置、柔性高压直流输电等各个大中功率设备之中。 IGBT无疑是近年来电力电子领域中最令人注目及发展最快的一种,而建立适合高压大容量IGBT器件和模块的测试平台,探索一整
    xzd回忆 5-24
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    SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等,其中: (1)静态测试:通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能,可简单评估器件的性能优劣。 各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统ENJ2005-C,该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的静态参数,系统
    箱子1995 11-11
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    一、IGBT应用技术的讨论 IGBT中文称之为场效应双极晶体管或隔离栅双极晶体管。IGBT已经被各种电力电子产品广泛应用,在中大功率的变流器中为主流器件。IGBT的应用技术远比MOSFET复杂,有必要对IGBT应用技术作深入的探讨。 二、IGBT的目标用户 主要目标用户为驱动各类电机的调速; 新能源的变流器:风能发电,太阳能发电(光伏); 稳压开关电源类,高频直流焊机(恒流)等。 其他:谐波治理,高压直流输变电,电磁炉,UPS等等。 三、IGBT的前沿应
    箱子1995 11-8
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    近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类(吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体、扬州扬杰等);模块类(嘉兴斯达、南京银茂、中车永电、西安卫光、湖北台基、宁波达新等);设计类(青岛佳恩、无锡紫光、上海陆芯、浙江天毅、深圳芯能、成都森未等);代工类(上海华虹、芜湖启迪、深圳方正微、中芯集成
    箱子1995 11-2
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    IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性,易实现较大电流的能力,既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件,并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了,IGBT的测试
    箱子1995 10-28
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    1、系统概述 ENL3010系列FRD浪涌电流测试系统的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。浪涌电流试验仪是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,该设备具有如下特点: 1、该试验台是一套大电流、高电压的测试设备,电流最大可扩展至20kA,带阻断功能的设备电压可扩展至10kV,对设备的电气性能要求高。 2、该试验台的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。 3、该试验台采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转
    箱子1995 10-26
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    一、 概述 向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减,此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合,就要考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路时,初
    箱子1995 10-26
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    日本Tesec和佛山联动测试系统,Tesec 341/351-TT系列和佛山联动QT-4000/6000系列测试系统。用于半导体元器件的测试。 有二手半导体测试设备买卖需求的朋友都可以联系我。提供丰富资源,帮助客户出售闲置资产和买到心仪的设备。
    箱子1995 10-26
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    分立器件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,否则产品的质量特性很难保证,尤其是较大的功率元件,因具有耗损性,易老化及效率降低,因不平衡导致烧毁,甚至在使用中会发生爆炸。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 分离器件主要有: 二极管DIODE,晶体管(NPN型/PNP型),J型场效应管J-FET,MOS场效应管 MOS-FET双向可控硅TRIAC,可控硅SCR,绝缘栅双极大功率晶体管IGBT,硅触发可控硅ST
    箱子1995 10-26
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    西安易恩电气提供半导体器件的测试设备及测试服务 测试器件 测试参数 二极管DIODE IR;BVR;VF 晶体管(NPN型/PNP型) ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEV;IEBO;BVCEO;BVCBO;BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF J型场效应管J-FET IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;GFS;VGSOFF MOS场效应管 MOS-FET IDSS;IDSV;IGSSF;IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON;VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS 双向可控硅TRIAC VD+;VD-;VT+;VT-;IGT;VGT;IL+;IL-;IH+;IH- 可控硅SCR IDRM;IRRM;IGKO
    箱子1995 10-26
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    西安易恩电气提供半导体器件的测试设备及测试服务 测试器件 测试参数 二极管DIODE IR;BVR;VF 晶体管(NPN型/PNP型) ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEV;IEBO;BVCEO;BVCBO;BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF J型场效应管J-FET IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;GFS;VGSOFF MOS场效应管 MOS-FET IDSS;IDSV;IGSSF;IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON;VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS 双向可控硅TRIAC VD+;VD-;VT+;VT-;IGT;VGT;IL+;IL-;IH+;IH- 可控硅SCR IDRM;IRRM;IGKO
    箱子1995 10-26
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    西安易恩电气提供半导体器件的测试设备及测试服务 测试器件 测试参数 二极管DIODE IR;BVR;VF 晶体管(NPN型/PNP型) ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEV;IEBO;BVCEO;BVCBO;BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF J型场效应管J-FET IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;GFS;VGSOFF MOS场效应管 MOS-FET IDSS;IDSV;IGSSF;IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON;VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS 双向可控硅TRIAC VD+;VD-;VT+;VT-;IGT;VGT;IL+;IL-;IH+;IH- 可控硅SCR IDRM;IRRM;IGKO
    箱子1995 10-26
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    1、系统概述 现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT(绝缘栅型场效应晶体管)已成为大功率元件的主流,在市场上居于主导地位。由于科技进步,电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET及IGBT的发展,尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换....等领域,使半导体开发技术人员在市场需求下,对大功率元件的发展技术,持续在突破。 半导体元件除了本身功能要良好之外,其各项参数能否达到电路上的要求,必须定期测量,
    箱子1995 10-21
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    西安易恩电气提供半导体器件的测试设备及测试服务 测试器件 测试参数 二极管DIODE IR;BVR;VF 晶体管(NPN型/PNP型) ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEV;IEBO;BVCEO;BVCBO;BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF J型场效应管J-FET IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;GFS;VGSOFF MOS场效应管 MOS-FET IDSS;IDSV;IGSSF;IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON;VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS 双向可控硅TRIAC VD+;VD-;VT+;VT-;IGT;VGT;IL+;IL-;IH+;IH- 可控硅SCR IDRM;IRRM;IGKO
    箱子1995 10-21
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    1产品概述 EN-6500A IGBT动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体分立器件动态参数测试的专用设备,通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非破坏性瞬态测试,通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于快恢复二极管、IGBT模块的测试。测试原理符合国军标,系统集成度高,性能稳定,具有升级扩展潜能和良好的人机交互。 联系易恩 152 4920 2572 2.2规格环境与参数指标2.2.1规格环境与
    箱子1995 10-21
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    1、功能范围: EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、
    箱子1995 10-21
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    为了保证产品的耐久性能,也就是产品使用的寿命。IGBT模块厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验,以确保产品的长期耐久性能。一般常见的测试的项目如下图所示。 这出自一份英飞凌关于3300V IHV-B封装产品系列的产品认证报告Product Qualification Report。这个报告里的测试项目,除了ESD静电测试以外,都是和IGBT模块的寿命相关的。寿命相关测试可以分成两部分,一部分是对于芯片本身寿命的考核,另一部分是对机械连接的考核。其中对芯片本身寿
    箱子1995 10-21
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    前言 我们说,IGBT的双脉冲实验和短路实验一般都会在一个阶段进行,但是有的时候短路测试会被忽略,原因有些时候会直接对装置直接实施短路测试,但是此时实际上并不是彻底和充分的。常见的情况有: ①没有进行IGBT短路实验 觉得这个实验风险太大,容易炸管子,损失太大或者觉得短路时电流非常大,这样很恐怖。 ②进行了短路测试 但是测试时候的判断标准较简单,对IGBT的短路行为没有进行较为仔细的观察和考证。 这样做可能会导致后期装置
    箱子1995 10-21
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    在全球性半导体行业快速发展的今天,以IGBT,MOSFET,晶闸管,第三代半导体器件(SIC)为代表的功率半导体器件以优良的性能广泛应用于航空航天、交通运输、绿色照明、白色家电、交流电机,汽车电子,变频逆变,UPS,电焊机,电源,等领域。下面以IGBT为例:在IGBT不断向高频、高温、高压、大功率方向发展的同时,IGBT的开关损耗严重制约了其开关频率的提高,较大的电压变化率和电流变化率所引起的电压和电流过冲会使IGBT应用电路的可靠性下降
    箱子1995 10-21
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    出售晶圆芯片,型号包括:高频小信号,功率,开关,肖特基,达林顿,集成电路 芯片等。 联系方式:15952512646沈小姐
    沈俞One 1-6
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    经核实吧主fzx1982 未通过普通吧主考核。违反《百度贴吧吧主制度》第八章规定http://tieba.baidu.com/tb/system.html#cnt08 ,无法在建设 分立器件吧 内容上、言论导向上发挥应有的模范带头作用。故撤销其吧主管理权限。百度贴吧管理组
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    Sinopower代理SM4022NSKPSM4023NSKP 大中集成电路(股)有限公司创立于2008年8月,为一家专业功率半导体元件 (MOSFET & IGBT) 及高压集成电路 (HV IC) 的设计公司。凭借着坚实的产品开发、营销业务及营运团队。提供性能优异、高信赖性、高性价比的产品及满足客户需求的服务,已获得众多客户于其节能电子产品中的广泛使用。目前大中集成电路可提供电压范围之功率半导体元器件产品 (20V~1200V),产品应用范围含盖 计算机 (个人计算机与服务器)、电源供应器、通

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